规格书 |
MGSF1N02LT1 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 750mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 90 mOhm @ 1.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 125pF @ 5V |
功率 - 最大 | 400mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
associated | PMV60EN MGSF1N02LT1G RE906 |
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